常見的半導體材料特點
1．半導體的導電能力介于導體與絕緣體之間
2．半導體受外界光和熱的刺激時，其導電能力將會有顯著變化。
3．在純凈半導體中，加入微量的雜質，其導電能力會急劇增強。

第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。主要用于各類分立器件，集成電路，新能源和芯片制造。

第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體（又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。因信息高速公路和互聯網的興起，還被廣泛應用于衛星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領域。

第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg》2.3eV）半導體材料。主要應用為半導體照明、功率器件、微波器件、激光器和探測器這幾大領域。